Нуруллаев Ю.Г., Бархалов Б.Ш., Гахраманов Н.Ф., Сардаровa Н.С., Вердиева Н.А., Гасымзаде Т.М.

Email: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.

Нуруллаев Юсиф Гушу оглу - доктор физико-математических наук, профессор,

кафедра общей физики и методики преподавания физики,

Бакинский государственный университет, г. Баку,

кафедра физики твердого тела и полупроводников,

Сумгаитский государственный университет, г. Сумгаит;

Бархалов Бархал Шабан оглу - доктор физико-математических наук, профессор, главный научный сотрудник,

лаборатория твердотельной электроники,

Институт физики

Национальная академия наук Азербайджана, г. Баку,

кафедра физики твердого тела и полупроводников,

Сумгаитский государственный университет, г. Сумгаит;

Гахраманов Надир Фаррух оглу – доктор физико-математических наук, профессор,

кафедра общей физики,

Бакинский государственный университет, г. Баку;

Сардарова Наила Сохраб гызы - кандидат физико-математических наук, доцент,

кафедра физики твердого тела и полупроводников,

Сумгаитский государственный университет, г. Сумгаит;

Вердиева Нурана Алишер гызы – докторант,

Гянджинский государственный университет, г. Гянджа;

Гасымзаде Томриз Мамед гызы – мaгистр,

кафедра общей физики и методики преподавания физики,

Бакинский государственный университет, г. Баку,

Азербайджанская Республика

Аннотация: в последнее время, наряду с узкозонными простыми веществами, были детально изучены различные структуры, созданные на основе комбинации соединений типа AIIIBV и AIIBVI с широкой запрещенной зоной. Одним из материалов, который стал предметом обширных исследований в настоящее время, являются полупроводниковые соединения типа AIIIBIIIC2VI (A-Tl; B - Ga, In; C-S, Se, Te), которые имеют слоистую и цепочечную структуру. В этих соединениях химические связи и электронные свойства определяются неспаренными электронами. Эти материалы представляют собой кристаллы с дефектной структурой и очень чувствительны к ультрафиолетовым, видимым, инфракрасным, рентгеновским и γ-лучам. Установлено, что теплопроводность этих кристаллов зависит от количества добавленных в их состав сторонних  атомов.

Ключевые слова: слоистые и цепочечные структуры, химические связи, электронные свойства, эффект памяти и переключения, теплопроводность, квант.

EFFECT OF RARE-EARTH ELEMENT Dysprosium ON THE HEAT CONDUCTIVITY OF TlInSe2 SOLID SOLUTION CRYSTALS

Nurullayev Yu.G., Barkhalov B.Sh., Gahramanov N.F., Sardarova N.S., Verdiyeva N.A., Gasimzadeh T.M.

Nurullayev Yusif Gushu ogly - Doctor of Physical and Mathematical Sciences, Professor,

Department of General Physics and Methods of Teaching Physics,

Baku State University, Baku;

Department of Solid State and Semiconductor Physics,

Sumgait State University, Sumgait;

Barkhalov Barkhal Shaban ogly - Doctor of Physical and Mathematical Sciences, Professor, Chief Researcher

Laboratory of Solid State Electronics,

 Institute of Physics,

National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku,

Department of Solid State and Semiconductor Physics,

Sumgait State University, Sumgait;

Gahramanov Nadir Farruh ogly - Doctor of Physical and Mathematical Sciences, Professor,

Department of General Physics and Methods of Teaching Physics,

Baku State University, Baku;

Sardarova Naila Sohrab gizi - Candidate of Physical and Mathematical Sciences, Associate-Professor,

DEPARTMENT of General Physics SEMICONDACTS,

SUMgAIT State University, Sumgait;

Verdiyeva Nurana Alisher gizi - Doctoral Candidate,

Ganja State University, Ganja;

Gasimzadeh Tomriz Mamed gizi – Мaster,

Department of General Physics and Methods of Teaching Physics,

Baku State University, Baku,

Republic of Azerbaijan

Abstract: lately along with narrow-band simple substances, have been studied in detail various structures created on the basis of a combination of AIIIBV and AIIBVI compounds with a wide band-gap. One of the materials that has become the subject of extensive research at present is semiconductor compounds of the AIIIBIIIC2VI type (A - Tl; B - Ga, In; C - S, Se, Te), which have layered and chain structure. In these compounds, chemical bonds and electronic properties are determined by unpaired electrons. These materials are crystals with a defective structure and are very sensitive to ultraviolet, visible, infrared, x-rays and γ-rays. It was established that the thermal conductivity of these crystals depends on the number of external atoms added to their composition.

Keywords: layered and chain structures, chemical bonds, electronic properties, memory and switching effect, thermal conductivity, quanta.

Список литературы / References

1. Керимова Э.М. Кристаллофизика низкоразмерных халькогенидов. Баку: Элм, 2012. 708 с.
2. Мадатов Р.С., Наджафов А.И., Мамедов М.А., Мамедов В.С. Электрические свойство соединения TlInS2 гексагональной модификации // Известия НАНА. Сер. физ.-мат. и техн. наук, № 2. С. 120-123.
3. Чудновский А.В., Могилевский Е.В. Теплопроводность полупроводников. М.:Наука, 603 с.
4. Сардарова Н.С., Бархалов Б.Ш.,Нуруллаев Ю.Г., Вердиева Н.А., Джафаров M.Б. Электрические свойства кристаллов твердых растворов TlInS2-TlEuS2 различного состава // Наука, техника и образование, 2016. № 11 (29). C. 6-9.
5. Leibfried G., Haasen P. Zum mechanismus der plastischen verformung // J. Phys., 1991. V. 137. № 1. 67.
6. Зарбалиев М.М. Теплопроводность твердых растворов системы  // Физика, T. 3. № 4. C. 35-38.

Ссылка для цитирования данной статьи

		Тип лицензии на данную статью – CC BY 4.0. Это значит, что Вы можете свободно цитировать данную статью на любом носителе и в любом формате при указании авторства.
Нуруллаев Ю.Г., Бархалов Б.Ш., Гахраманов Н.Ф., Сардаровa Н.С., Вердиева Н.А., Гасымзаде Т.М. ВЛИЯНИЕ РЕДКОЗЕМЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА ДИСПРОЗИЯ НА ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ КРИСТАЛЛОВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ TlInSe2// Наука, техника и образование №10(63), 2019. - С.{см. журнал}.

Сукиасян В.М., Придиус Е.С. 

Email: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.

Сукиасян Владимир Мартунович - студент,

кафедра систем обработки информации и управления;

Придиус Екатерина Сергеевна - студент,

кафедра защиты информации,

Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана,

г. Москва

Аннотация: в данной статье будет рассмотрено понятие архитектуры приложения, критерии хорошо построенной архитектуры приложения, понятие Frontend, его роль в приложении, структура, а также архитектурные особенности, ставшие актуальными в последнее время. Также будут рассмотрены и проанализированы принципы, на которых строятся современные Frontend-архитектуры веб-приложений, например, таких, как потоки данных и компонентный подход в архитектуре, их корреляция и сравнение между собой, а также примеры фреймворков, реализующих эти принципы.

Ключевые слова: архитектура, компонентный подход, поток данных, DOM, принципы, фронтенд.

CONTEMPORARY PRINCIPLES AND APPROACHES TO FRONTEND WEB ARCHITECTURE

Sukiasyan V.M., Pridius E.S.

Sukiasyan Vladimir Martunovich - Student,

DEPARTMENT OF AUTOMATIC INFORMATION PROCESSING AND CONTROL SYSTEMS;

Pridius Ekaterina Sergeevna - Student,

DEPARTMENT OF INFORMATION SECURITY,

BAUMAN MOSCOW STATE UNIVERSITY,

MOSCOW

Abstract: this article will discuss the concept of application architecture, the criteria for a well-built application architecture, the concept of Frontend, its role in the application, the structure, as well as architectural features that have become relevant in recent years. The principles on which modern Frontend architectures of web applications are built, such as data flows and component approach in architecture, their correlation and comparison with each other, as well as examples of frameworks that implement these principles will also be considered and analyzed.

Keywords: architecture, component architecture, data-flow, DOM, principles, frontend.

Список литературы / References

1. Современная архитектура frontend. Перспективы фронтенд инженера. [Электронный ресурс]. Режим доступа: https://blog.webf.zone/contemporary-front-end-architectures-fb5b500b0231/ (дата обращения: 31.10.2019).
2. Архитектура программного обеспечения [Электронный ресурс]. Режим доступа: https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%90%D1%80%D1%85%D0%B8%D1%82%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%83%D1%80%D0%B0_%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D0%BC%D0%BC%D0%BD%D0%BE%D0%B3%D0%BE_%D0%BE%D0%B1%D0%B5%D1%81%D0%BF%D0%B5%D1%87%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D1%8F/ (дата обращения: 09.11.2019).

Ссылка для цитирования данной статьи

		Тип лицензии на данную статью – CC BY 4.0. Это значит, что Вы можете свободно цитировать данную статью на любом носителе и в любом формате при указании авторства.
Сукиасян В.М., Придиус Е.С. СОВРЕМЕННЫЕ ПРИНЦИПЫ И ПОДХОДЫ К FRONTEND АРХИТЕКТУРЕ ВЕБ-ПРИЛОЖЕНИЙ// Наука, техника и образование №10(63), 2019. - С.{см. журнал}.

Мауленова Г.Д., Цай К.В.

Email: MaulenovаАдрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.

Мауленова Гульнара Джупарбековна - кандидат архитектурных наук;

Цай Константин Вилларионович – магистр искусствоведческих наук,

кафедра архитектуры,

Казахский национально технический исследовательский университет им. К.И. Сатпаева,

г. Алматы, Республика Казахстан

Аннотация: статья посвящена использованию технологии дополненной реальности в архитектуре и строительстве, а также расширению их возможностей. Архитектура, как и любая другая область науки, не стоит на месте и развивается в ногу со временем и одним из ярких примеров является применение новых технологий для реализации тех или иных задач. Также технологические новшества предлагают упрощение некоторых функций и методов проектирования, что в свою очередь ведет к изменению самой архитектуры. Базовые принципы, которые будут рассмотрены в данной статье, покажут потенциал развития архитектуры в направлении дополненной реальности. Человек, используя новые инструменты для творчества, проектирования, разработки архитектурных проектов, создает более сложные конструкции, более эстетичные формы, более рациональные решения. Вследствие этого, чем шире набор инструментов архитектора, тем лучше и сами проекты, которые он исполняет.

Ключевые слова: архитектура, кинетический фасад, строительство, технологии, адаптивная архитектура, проектирование, пространство.

MICROKINETIC FACADE

Maulenovа G.D., Tsay K.V.

Maulenova Gulnara Dzhuparbekovna - Phd in Architecture;

Tsay Konstantin Villarionovich - Master of Arts,

KAZAKH NATIONAL TECHNICAL RESEARCH UNIVERSITY NAMED AFTER K.I. SATPAYEV,

ALMATY, REPUBLIC OF KAZAKHSTAN

Abstract: the article is devoted to the use of augmented reality technology in architecture and construction, as well as the expansion of their capabilities. Architecture, like any other field of science, does not stand still and develops in step with the times and one of the most striking examples is the use of new technologies for the implementation of various tasks. Also, technological innovations offer a simplification of some functions and design methods, which in turn leads to a change in the architecture itself. The basic principles that will be discussed in this article will show the potential for the development of architecture in the direction of augmented reality. Human using new tools for creativity, design, development of architectural projects creates more complex designs, more aesthetic forms, more rational solutions. As a result of this, the wider the set of tools of the architect, the better the projects themselves that he performs.

Keywords: architecture, kinetic facade, construction, technology, adaptive architecture, design, space.

Список литературы / References

1. Коэффициенты расширения материалов // [Электронный ресурс]. Режим доступа: http://webcala.net/lineynoye_udlineniye_mat.php // (дата обращения: 17.10.2019).
2. Ковалев Н.С., Горгорова Ю.В. // Эволюция адаптивной архитектуры, 2018. Инженерный вестник Дона. № 4. С. 4-5.
3. Jayathissa Р., Luzzatto М., Schmidli J., Hofer J., Nagy Z., Schlueter А. // Optimising building net energy demand with dynamic BIPV shading, 2017. Applied Energy. № С. 726–735.
4. Жлудова Т.В., Каганович Н.Н. // Биоадаптированная оболочка кинетического фасада, 2018. SAFETY С. 152-156.
5. Конурова С.А., Сидоров В.А. Проектирование адаптивного жилого комплекса, 2015. Вестник АлтГТУ им. И.И. Ползунова. № 1-2. С. 216-218.

Ссылка для цитирования данной статьи

		Тип лицензии на данную статью – CC BY 4.0. Это значит, что Вы можете свободно цитировать данную статью на любом носителе и в любом формате при указании авторства.
Мауленова Г.Д., Цай К.В. МИКРОКИНЕТИЧЕСКИЙ ФАСАД// Наука, техника и образование №10(63), 2019. - С.{см. журнал}.

Бархалов Б.Ш., Нуруллаев Ю.Г., Исмаилов Р.М., Исмаилова Х.И., Байрамов Д.Д.

Email: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.

Бархалов Бархал Шабан оглу - доктор физико-математических наук, профессор,

главный научный сотрудник,

лаборатория твердотельной электроники,

Институт физики

Национальная Академия Наук Азербайджана, г. Баку,

кафедра физики твердого тела и полупроводников,

Сумгаитский государственный университет, г. Сумгаит;

Нуруллаев Юсиф Гушу оглу - доктор физико-математических наук, профессор,    

кафедра общей физики и методики  преподавания физики,

Бакинский Государственный Университет, г. Баку,

Исмаилов Рамиз Мазахир оглу – доктор философии по физике, доцент,

кафедра физики твердого тела и полупроводников;

Исмаилова Хадиджа Ислам гызы – тьютор,

факультет физики и электроэнергетики;

Байрамов Джошгун Джумшуд оглу – доктор философии по физике, доцент, 

кафедра физики твердого тела и полупроводников,

 Сумгаитский государственный университет,

г. Сумгаит,

Республика Азербайджан

Аннотация: с целью выяснения влияния отклонения от стехиометрии на термоэлектрические свойства монокристаллов PbTe с избытком свинца исследованы в них коэффициенты электропроводности (s), термо-э.д.с. (a) в области температур 80 ¸ 300 К. Монокристаллы PbTe были получены методом Бриджмена и прошли гомогенизирующий отжиг при температуре 473 К. В неотожженных образцах PbTe с избытком 0,005 ат.% Pb и 0,1 ат.% Pb температурная зависимость электропроводности определяется, в основном, температурной зависимостью подвижности носителей заряда. Для всех неотожженных образцов с ростом температуры термо-э.д.с. растет. После отжига характер температурной зависимости s  для всех образцов почти не изменяется, однако, значения s значительно уменьшаются по сравнению с образцами, не прошедшими термическую обработку. Отжиг не изменяет характер температурной зависимости a, однако, термо-э.д.с. по абсолютной величине возрастает. Показано, что для объяснения характера и значений исследованных кинетических коэффициентов необходимо учесть роль структурных (антиструктурных) дефектов, особенности зонной структуры PbTe и характер рассеяния носителей заряда.

Ключевые слова: монокристалл, стехиометрия, избыточный свинец, твердая фаза, электропроводность, термо-э.д.с., дефект, вакансия.

ELECTRICAL PROPERTIES OF PbTe SINGLE CRYSTALS WITH EXCESS LEAD

Barkhalov B.Sh., Nurullayev Yu.G., Ismailov R.M., Ismailovа Н.I., Bayramov D.D.

Barkhalov Barkhal Shaban - Doctor of Physical and Mathematical Sciences, Professor, Chief Researcher,

LABORATORY OF SOLID STATE ELECTRONICS,

INSTITUTE OF PHYSICS

NATIONAL ACADEMY OF SCIENCES OF AZERBAIJAN, BAKU,

DEPARTMENT OF SOLID STATE AND SEMICONDUCTOR PHYSICS,

SUMGAIT STATE UNIVERSITY, SUMGAIT;

Nurullayev Yusif Gushu - Doctor of Physical and Mathematical Sciences, Professor,

Department of General Physics and Methods of Teaching Physics,

Baku State University, Baku,

Ismailov Ramiz Mazahir - PhD on Physics, Associate-Professor,

DEPARTMENT OF SOLID STATE AND SEMICONDUCTOR PHYSICS;

Ismailova Hadija Islam - Тutor, Мaster,

Faculty of Physics and electroenergetics;,

Bayramov Djoshgun Djumshud - PhD on Physics, Associate-Professor,

DEPARTMENT OF SOLID STATE AND SEMICONDUCTOR PHYSICS,

SUMGAIT STATE UNIVERSITY,

SUMGAIT,

REPUBLIC OF AZERBAIJAN

Abstract: in order to elucidate the influence of deviations from stoichiometry on the thermoelectric properties of PbTe single crystals with excess lead, the coefficients of conductivity (s) and thermoelectric power have been studied. (a) in the temperature range of 80 to 300 K. PbTe single crystals were obtained by the Bridgman method and were subjected tohomogenizing annealing at a temperature of 473 K. In non-annealed PbTe samples with an excess of 0.005 at.% Pb and 0.1 at.% Pb, the temperature dependence of electrical conductivity is determined mainly by the temperature dependence of the mobility of charge carriers. For all non-annealed samples with increasing temperature, the thermo-e.m.f. is growing. After annealing, the character of the temperature dependence of s  for all samples remains almost unchanged, however, the values of s decrease significantly in comparison with samples that have not undergone heat treatment. Annealing does not change the nature of the temperature dependence of a, however, thermo-e.m.f. in absolute value increases. It is shown, that in order to explain the nature and values of the kinetic coefficients studied, it is necessary to take into account the role of structural (anti-structural) defects, the features of the PbTe band structure and the nature of carrier scattering.

Keywords: single crystal, stoichiometry, excess lead, solid phase, electrical conductivity, thermo-e.m.f., defect, vacancy.

Список литературы / References

1. Патли Е. Сульфид, селенид и теллурид свинца // Материалы, используемые в полупроводниковых приборах. Под ред. Хогарта М.: Мир, 1968. С. 99-143.
2. Равич Ю.И. О свойствах халькогенидов свинца. // Материалы, используемые полупроводниковых приборах. Под ред. Хогарта М.: Мир, 1968. С. 273-301.
3. Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам PbTe, PbSe, PbS. М.: Наука, 1968. 384 с.
4. Гавалешко Н.П., Горлей П.Н., Шендеровский В.А. Узкозонные полупроводники. Получение и физические свойства. Киев: Наукова думка, 1984. 287 с.
5. Охотин А.С., Пушкарский А.С., Боровиков Р.П., Симагов В.А. Методы измерения характеристик термоэлектрических материалов и преобразователей. М.: Наука, 1974. 168 с.

Ссылка для цитирования данной статьи

		Тип лицензии на данную статью – CC BY 4.0. Это значит, что Вы можете свободно цитировать данную статью на любом носителе и в любом формате при указании авторства.
Бархалов Б.Ш., Нуруллаев Ю.Г., Исмаилов Р.М., Исмаилова Х.И., Байрамов Д.Д. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ PbTe С ИЗБЫТКОМ СВИНЦА// Наука, техника и образование №10(63), 2019. - С.{см. журнал}.