- апр 14, 2016
Тип лицензии на данную статью – CC BY 3.0. Это значит, что Вы можете свободно цитировать данную статью на любом носителе и в любом формате при указании авторства. Саъдуллаев А. Б., Норбоев А. Э. Влияние концентрации электроактивных атомов марганца на фотоэлектрические свойства кремния в условиях сильной компенсации // Наука, техника и образования № 04 (22), 2016. - С.{см. журнал}
Саъдуллаев Аловиддин Бобакулович / Sadullaev Aloviddin Bobakulovich - кандидат физико-математических наук, доцент;
Норбоев Анвар Эшмуминович / Norboev Anvar Eshmuminovich - старший преподаватель, кафедра электроэнергетики, энергетический факультет, Каршинский инженерно-экономический институт, г. Карши, Республика Узбекистан
Аннотация: в статье рассматривается исследование особенности фотоэлектрического свойства кремния легированным марганцем в условиях сильной компенсации, и установлены возможности управления чувствительности образцов на инфракрасный свет при наличии фонового освещения, управляя концентрацией электроактивных атомов марганца, и определено оптимальное удельное сопротивление, а также предложена нанокластерная модель, позволяющая объяснить наблюдаемый эффект в сильнокомпенсированном кремнии.
Ключевые слова: сильнокомпенсированный кремний, кратность гашения фотопроводимости, метастабильные нанокластеры.
Литература
- Бахадырханов М. К., Мавлянов Г. Х., Аюпов К. С., Исамов С. Б. Отрицательное магнитосопротивление в кремнии с комплексами атомов марганца. Физизика и техника полупроводников. 2010 г., т. 44, в. 9, с. 1181-1184.
- Аюпов К. С., Бахадырханов М. К., Зикриллаев Н. Ф., Мавлянов Г. Х. Активации нанокластеров атомов марганца в кремнии. Доклады АНРУз. Ташкент, 2009 г., № 3, с. 56-58.
- Бахадирханов М. К., Зикриллаев Н. Ф., Хамидов А. О концентрации электроактивных атомов элементов переходных групп в полупроводниках. Uzbekjournalphysiks. Volume 2, Namber 3, 2000, p. 221-225.
- Zikrillaev N. F., Sadullaev A. B. Power spectra of impurity in semiconductors in the condition of strong compensation. SSP-2004. 8-th International Conference Soled state physics, August 23-26, 2004, Almaty, Kazakhstan Abstracts Almaty-2004, pp. 254-255.
- Бахадырханов М. К., Валиев С. А., Насриддинов С. С., Эгамов У. Особенности термических свойств сильнокомпенсированного Si<B,Mn>. РАН, Неорганические материалы, 2009, т. 45, №. 11, стр. 1291-1293.
- Бараночников М. Л. Приемники и детекторы излучений. Справочник. Москва: Издательство «ДМК Пресс», 2012 г.