- нояб 09, 2016
Сардарова Н. С., Бархалов Б. Ш., Нуруллаев Ю. Г., Вердиева Н. А., Джафаров M. Б. Электрические свойства кристаллов твердых растворов TlInS2-TlInEuS2 различного состава // Наука, техника и образование № 11 (29), 2016. - С. {см. журнал}. Тип лицензии на данную статью – CC BY 3.0. Это значит, что Вы можете свободно цитировать данную статью на любом носителе и в любом формате при указании авторства.
Сардарова Наиля Сохраб кызы / Sardarova Nailya Sohrab kyzy – кандидат физико-математических наук, доцент, кафедра физики полупроводников;
Бархалов Бархал Шабан оглу / Barkhalov Barkhal Shaban oglu – профессор, кафедра физики твердого тела, Сумгаитский государственный университет, г. Сумгаит, доктор физико-математических наук, лаборатория твердотельной электроники, Институт физики Национальная академия наук Азербайджана, г. Баку;
Нуруллаеев Юсиф Гушу оглу / Nurullayev Yusif Gushu oglu – доктор физико-математических наук, профессор, кафедра физики полупроводников, Сумгаитский государственный университет, г. Сумгаит, заместитель директора, Институт физических проблем Бакинский государственный университет, г. Баку;
Вердиева Нармина Алишир кызы / Verdiyeva Narmina Alishir kyzy – диссертант, кафедра общей физики;
Джафаров Мантиг Бахадур оглы / Djafarov Mantiq Bahadur – профессор, Гянджинсий государственный университет, г. Гянджа, Республика Азербайджан
Аннотация: разработана технология синтеза и выращивания монокристаллов соединений системы TlInS2-TlEuS2, получены монокристаллы легированных атомами Eu соединений TlIn1-xEuxS2 с составом х = 0,01; 0,02; 0,03 ат. %. В интервале температур 80¸500 К исследованы температурные зависимости электропроводности, термо-э.д.с., коэффициента Холла твердых растворов TlIn1-xEuxS2, исследованы взаимодействия в системах TlInS2-TlEuS2.
Ключевые слова: твердый раствор, монокристалл, легирование, сплав, электропроводность, термо-э.д.с., коэффициент Холла.
Литература
- Керимова Э. М. Кристаллофизика низкоразмерных халькогенидов. Баку: Элм, 2012. 710 с.
- Годжаев Э. М., Зарбалиев М. М., Гулиев Л. И. Физико-химические свойства твердых растворов TlInX2-TlLnX2 (Ln=Sm, Eu; X=S, Se, Te) // Тезисы докладов IV конференции по физике и химии редкоземельных полупроводников. Новосибирск, 1987. С. 28.
- Абдуллаев Г. Б., Гусейнов Г. Д., Исмаилов М. З. Детектор рентгеновского излучения, 1976. Авт. № 524423, СССР.
- Гасанов Н. З., Пашаев А. М., Керимова Э. М. Пьезорезисторный эффект в монокристалле редкоземельных элементов // Труды Акад. Авиации, 2003. № 5. С. 27.
- Marahashli M., Yukes N. S. Determination of trapping center parametrs of TlInGaS4 layered crystals by thermally stimulated current measurements // J.of. Alloys and Compounds, 2006. V. 417. №. 1-2. С. 23.
- ГоджаевЭ. М., АллахяровЭ. А., НазаровА. М.Акустофотовльтaическийэффектвмонокристаллах TlInSe2, TlInTe2, TlGaTe2 // Неорган. Материалы,Т. 43. № 10. С. 1184.
- Физические свойства халкогенидов редкоземельных элементов / под ред. Жузе, 1973. Изд. Наука. С. 304.
- Сардарова Н. С. Перенос заряда и тепла в бинарных соединениях TlInS2(Se2)-TlEuS2(Se2): автореф…дисс…к.ф.м.н., Баку,2006. 25 с.