- окт 22, 2020
Гахраманов Н.Ф., Бархалов Б.Ш., Нуруллаев Ю.Г., Рагимов Р.Ш.
Email: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Гахраманов Надир Фаррух оглу – доктор физико-математических наук, профессор,
кафедра общей физики и методики преподавания физики,
Бакинский государственный университет, г. Баку;
Бархалов Бархал Шабан оглу - доктор физико-математических наук, профессор,
лаборатория твердотельной электроники,
Институт физики
Национальная Академия наук Азербайджана, г. Баку,
кафедра физики твердого тела и полупроводников,
Сумгаитский государственный университет, г. Сумгаит,;
Нуруллаев Юсиф Гушу оглу - доктор физико-математических наук, профессор,
кафедра общей физики и методики преподавания физики,
Бакинский государственный университет, г. Баку,
кафедра физики твердого тела и полупроводников,
Сумгаитский государственный университет, г. Сумгаит;
Рагимов Рагим Шукюр оглу - кандидат физико-математических наук, доцент,
кафедра общей физики и методики преподавания физики,
Бакинский государственный университет, г. Баку,
Республика Азербайджан
Аннотация: в настоящей работе исследованы вольт-амперные характеристики и температурная зависимость электропроводности соединения LnIn3S6. Данные по измерению температурной зависимости электропроводности показывают, что указанное соединение является примесным полупроводником. Примесная проводимость для LnIn3S6 наблюдается в интервале температур 300¸500 К, выше этой температуры наступает собственная проводимость. Для определения механизма переноса носителей тока в области сильных электрических полей изучены инжекционные токи в полупроводниках типа LnIn3S6. Исследованиями инжекционных токов в монокристаллах халькогенидов редкоземельных элементов типа LnIn3S6, установлено, что в этих соединениях механизм прохождения тока в области нелинейности ВАХ обусловлен монополярной инжекцией электронов при экспоненциальном распределении ловушечных уровней.
Ключевые слова: дефектные кристаллы, халькогаллаты, халькоиндаты, электронные свойства, редкоземельный элемент, микроэлектроника, инжекционный ток.
INJECTION CURRENTS IN SINGLE CRYSTALS OF CHALCOGENIDES of RARE EARTH ELEMENTS of LnIn3S6 TYPE
Gahramanov N.F., Barkhalov B.Sh., Nurullayev Yu.G., Rahimov R.Sh.
Gahramanov Nadir Farruh oglu- Doctor of Physical and Mathematical Sciences, Professor,
Department of General Physics and Methods of Teaching Physics,
Baku State University;
Barkhalov Barkhal Shaban oglu - Doctor of Physical and Mathematical Sciences, Professor,
Laboratory of Solid State Electronics,
Institute of Physics,
National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku,
Department of Solid State and Semiconductor Physics,
Sumgait State University, Sumgait;
Nurullayev Yusif Gushu oglu - Doctor of Physical and Mathematical Sciences, Professor,
Department of General Physics and Methods of Teaching Physics,
Baku State University,
Department of Solid State and Semiconductor Physics,
Sumgait State University, Sumgait
Rahimov Rahim Shukyur oglu – PhD in Physics, Assistant-Professor,
Department of General Physics and Methods of Teaching Physics,
Baku State University, Baku,
Republic of Azerbaijan
Abstract: in the present paper current-voltage characteristics and temperature dependence of electrical conductivity of said compound have been investigated. Data on measurement of temperature dependence of electrical conductivity show that the compound LnIn3S6 is an impurity semiconductor. The impurity conductivity for LnIn3S6 is observed in the temperature range 300-500 K, above this temperature intrinsic conductivity occurs. To determine the mechanism for transport of current carriers in the strong electric fields, injection currents in semiconductors of the LnIn3S6 type are studied. Studies of injection currents in single crystals of chalcogenides of rare-earth elements of LnIn3S6 type have shown that in these compounds the mechanism of current passage in the region of non-linearity of the current-voltage characteristic is due to monopolar injection of electrons with an exponential distribution of trapping levels.
Keywords: defective crystals, chalogallates, chalcoindates, electronic properties, rare-earth element, microelectronics, injection current.
Список литературы / References
- Керимова Э.М. Кристаллофизика низкоразмерных халькогенидов. Баку: Элм, 2012. 708 с.
- Абасова А.З., Мадатов Р.С., Стафеев В.И. Радиационно-стимулированные процессы в халькогенидных структурах. Баку: Элм, 2010. 352 с.
- Gustinov G.D., Rasulov A,I., Kerimova E.M. On heat conductivity of AIIIBШ СVI2 type semiconductors // Phys.Lett., 1996. V. 22. № P. 562.
- Мустафаева С.Н., Керимова Э.М. Перенос заряда в TlFeS2, TlFeSe2 // ФТТ, 2000. Т. 42. № 12. 2132-2133.
- Абрикосов Н.Х. и др. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М.: Наука, 2005. 220 с.
- Рустамов П.Г. Выращивание монокристаллов некоторых сульфидов галлия из газовой фазы // Изв. АН СССР. Неорг. Материалы, 1973. Т. 3. № 3. C. 575-577.
- Рустамов П.Г., Алиев О.М. Тройные халькогениды редкоземельных элементов, Баку: Элм, 1981. 226 с.
- Гиваргизов Е.И., Гринберг С.А. Рост кристаллов.: Наука, 2002. 225 с.
- Duczmal M.L. Pawlak L. Magnetic properties of TlLnS2 compounds (Ln-Dy, Tb and Ho) // J. Alloys and Comp., 1995. V. 219. P. 189-192.
- Ламперт М.А. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973. 200 с.
- Гутман Ф., Лайонс Л. Органические полупроводники. М. «Мир», 1970. 698 с.
Ссылка для цитирования данной статьи
| Тип лицензии на данную статью – CC BY 4.0. Это значит, что Вы можете свободно цитировать данную статью на любом носителе и в любом формате при указании авторства. | ||
|
Гахраманов Н.Ф., Бархалов Б.Ш., Нуруллаев Ю.Г., Рагимов Р.Ш. ИНЖЕКЦИОННЫЕ ТОКИ В МОНОКРИСТАЛЛАХ ХАЛКОГЕНИДОВ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ТИПА LnIn3S6 // Наука, техника и образование № 9(73), 2020. - С.{см. журнал}. |
||
