- сен 27, 2018
Бархалов Б.Ш., Нуруллаев Ю.Г., Вердиева Н.А., Джафаров М.Б.
Email: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Бархалов Бархал Шабан оглу - доктор физико-математических наук, профессор, главный научный сотрудник, лаборатория твердотельной электроники,
Институт физики
Национальная академия наук Азербайджана;
Нуруллаев Юсиф Гушу оглы - доктор физико-математических наук, профессор,
кафедра общей физики,
Бакинский государственный университет,
г. Баку;
Beрдиева Нурана Алишир кызы – диссертант;
Джафаров Мантиг Бахадур оглы – доктор физико-математических наук, профессор,
кафедра общей физики,
Гянджинский государственный университет,
г. Гянджа,
Республика Азербайджан
Аннотация: в настоящее время одними из материалов, ставшими объектом обширных исследований в области электроники, являются полупроводниковые соединения типа АШВШX2V1 (где A-Tl; B-Ga, In; X-S, Se, Te) со слоистой и цепочечной структурой. Особенности химических связей и чувствительность к ионизирующим излучениям такого типа соединений обусловлены непарными валентными электронами. Одним из кристаллических материалов, входящих в класс соединений АШВШX2V1 типа, является соединение TlInSe2. Соединения типа TlInSe2 кристаллизуются в решетках со слоистой и цепочечной структурой. Полупроводниковые соединения, входящие в этот класс, обладают рядом интересных физических свойств, включая свойства сегнетоэлектрика-полупроводника, эффекты памяти и переключения и т.д. Высокая чувствительность этих дефектных кристаллов к ультрафиолетовому, видимому, инфракрасному, рентгеновскому и γ-лучам увеличивает интерес к их исследованию.
Ключевые слова: соединение TlInSe2 , ионизирующие излучения, цепочечная структура, эффекты памяти, локальные уровни, монополярная инжекция.
Effect of ionizing radiation on the electrophysical properties of TlInSe2 crystals
Barkhalov B.Sh., Nurullaev Yu.G., Verdiyeva N.A., Jafarov M.B.
Barkhalov Barkhal Shaban – Doctor of Physical and Mathematical Sciences, Professor, Chief Researcher, LABORATORY OF SOLID STATE ELECTRONICS,
INSTITUTE OF PHYSICS
AZERBAIJAN NATIONAL ACADEMY OF SCIENCES;
Nurullayev Yusif Qushu - Doctor of Physical and Mathematical Sciences, Professor,
DEPARTMENT OF GENERAL PHYSICS, BAKU STATE UNIVERSITY,
BAKU;
Verdieva Nurana Alihsir – Dissertator;
Jafarov Mantiq Bahadur – Doctor of Physical and Mathematical Sciences, Professor,
DEPARTMENT OF GENERAL PHYSICS,
GANDJA STATE UNIVERSITY,
GANDJA,
REPUBLIC OF AZERBAIJAN
Abstract: аt present, one of the materials that have become the object of extensive research in the field of electronics are semiconductor compounds of the type АШВШX2V1 (where A - Tl; B - Ga, In; X - S, Se, Te) with a layered and chain structure. The features of chemical bonds and the sensitivity to ionizing radiation of this type compounds are due to unpaired valence electrons. One of the crystalline materials related to the compounds of this is the TlInSe2. Compounds of the TlInSe2 type crystallize in lattices with a layered and chain structure. Semiconductor compounds in this class have a number of interesting physical properties, including the properties of a ferroelectric semiconductor, memory and switching effects, and so on. The high sensitivity of these defective crystals to ultraviolet, apparently infrared, X-ray and γ-rays increases the interest in their investigation.
Keywords: TlInSe2 compound, ionizing radiation, chain structure, memory effects, local levels, monopolar injection
Список литературы / References
- Абасова А.З., Мадатов Р.С., Стафеев В.И. Радиационно-стимулированные процессы в халькогенидных структурах. Баку: Элм, 2010. 352 с.
- Абасова А.З., Мадатов Р.С., Наджафов А.И., Газанфаров М.Р. Влияние γ-облучения на электрические и фотоэлектрические свойства гетерепереходов p-TlInSe2/n-TlSe<Ge>// Прикладная физика. № 10. С. 2011-2018.
- Годжаев Э.М., Зарбалиев М.М., Алиев С.А. Электрофизические свойства TlInTe2. // Неорганические материалы, 1983. Т. 19. № 3, 1983. С. 374-375.
- Мадатов Р.С., Наджафов А.И., Тагиев Т.Б., Газанфаров М.Р. Особенности механизма токопрохождения в кристаллах TlInSe. // Электронная обработка материалов, 2010. № 4. С. 120-125.
- Сардарлы Р.М., Самедов О.А., Абдуллаев А.П. и др. Электропроводимость γ-облученных кристаллов TlGaTe2 // Известия НАНА. Сер. Физ.-мат. и техн. Наук, 2009. № 2. С. 25-31.
- Ламперт М.А., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973. 416 с.
- Сардарлы Р.М., Самедов О.А., Абдуллаев А.П., Салманов Ф.Т., Алекперов О.З., Гусейнов Э.К., Алыева Н.А. Суперионная проводимость, эффекты переключения и памяти в кристаллах TlInSe2 и TlInТe2 //ФТП, 2011. Т.45. В. 11. С. 1441-1445.
Ссылка для цитирования данной статьи
Тип лицензии на данную статью – CC BY 4.0. Это значит, что Вы можете свободно цитировать данную статью на любом носителе и в любом формате при указании авторства. | ||
Бархалов Б.Ш., Нуруллаев Ю.Г., Вердиева Н.А., Джафаров М.Б. Влияние ионизирующих излучений на электрофизические свойства кристаллов TLInSe2 // Наука, техника и образование № 9 (50), 2018. - С.{см. журнал}. |