- июль 28, 2016
Бутин И. В. Отработка методики применения мониторов структурных повреждений для сопровождения облучательных экспериментов // Наука, техника и образования № 07 (25), 2016. - С. {см. журнал}. Тип лицензии на данную статью – CC BY 3.0. Это значит, что Вы можете свободно цитировать данную статью на любом носителе и в любом формате при указании авторства.
Бутин Иван Валентинович / Butin Ivan Valentinovich - студент, кафедра проектирования и технологии производства электронной аппаратуры, факультет информатики и систем управления, Московский государственный технический университет им. Н. Э. Баумана, г. Лыткарино
Аннотация: в статье представлено теоретическое обоснование возможности использования в качестве датчиков эффективного значения флюенса нейтронов биполярных транзисторов. Выполнены измерения исходных характеристик транзисторов, проведено их облучение на моделирующей установке БАРС-4 с эталонным спектром излучения. Получены калибровочные зависимости для дальнейшего использования этих транзисторов в качестве мониторов структурных повреждений при определении эффективности нейтронного излучения источников с отличающимся спектром излучения.
Ключевые слова: радиоэлектронная аппаратура, ионизирующее излучение, монитор структурных повреждений, контрольно-измерительная аппаратура.
Литература
- Вавилов В. С., Ухин Н. А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1969. - 311 с.: ил.
- Кулаков В. М., Ладыгин Е. А.,. Шаховцев В. И и др. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники / Под ред. Е. А. Ладыгина. - М.: Сов.радио, 1980. - 224 с.
- Мырова Л. О., Чепиженко А. З. Обеспечение стойкости аппаратуры связи к ионизирующим и электромагнитным излучениям - М.: Радио и связь, 1988. – 296 с.
- Коледов Л. А., Волков В. А., Докучаев Н. И. и др. Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование. Учебное пособие для вузов. Под ред. Л. А. Коледова. М.: Высшая школа, 1984 г. – 231 с.