- мая 31, 2016
Гахраманов Н.Ф., Гашимова А.И., Нуруллаев Ю.Г., Гараев Э.С. Электрические свойства кристаллов твердых растворов Ge1-xSix, полученных новым способом зонной плавки // Наука, техника и образования № 05 (23), 2016. - С. {см. журнал}. Тип лицензии на данную статью – CC BY 3.0. Это значит, что Вы можете свободно цитировать данную статью на любом носителе и в любом формате при указании авторства.
Гахраманов Надир Фаррух оглу / Gahramanov Nadir Farrux oglu – доктор физико-математических наук, профессор, кафедра общей физики, Бакинский Государственный Университет, г. Баку, Республика Азербайджан;
Гашимова Айнур Ихтияр / Gashimova Aynur Ikhtiyar– диссертант, кафедра общей физики, Сумгаитский Государственный Университет, г. Сумгаит, Республика Азербайджан;
Нуруллаеев Юсиф Гушу оглу / Nurullayev Yusif Gushu oglu – доктор физико-математических наук, профессор;
Гараев Эльдар Самед оглу / Garayev Eldar Samedoglu – кандидат физико-математических наук, доцент, кафедра общей физики, Бакинский Государственный Университет, г. Баку, Республика Азербайджан
Аннотация: в статье рассмотрен новый метод получения однородных монокристаллов твердого раствора Ge-Si и приведены результаты исследования физических свойств образцов полученных кристаллов. Монокристаллы твердых растворов Ge1-xSix состава x: 5; 6; 8; 10; 15 ат.% Si были получены зонной плавкой с использованием нового метода, предложенного В. Таировым. Степень монокристалличности полученных кристаллов проверялась соответствующим рентгенографическим анализом.
Ключевые слова: монокристалл Ge1-xSix бинарный твердый раствор, зонная плавка, сплав, рентгенографический анализ.
Литература
- Тагиров В. И. Полупроводниковые твердые растворы германий-кремний. - Баку: Элм, 1983.
- Нуруллаев Ю.Г. Электрон-дефектное взаимодействие в частично-неупорядоченных кристаллах: автореф… дисс…д. ф-м.н. Баку, 2005. 28 с.
- Джафаров К. А., Тагиров С. И., Тагиров В. И. Исследование поведения термических акцепторов в твердых растворах германий-кремний. // Изв. АН Азерб. ССР. Сер. физ. мат. Наук, 1986.Т. 5. № 4. С. 15 - 19.
- Болховитянов Ю. Б., Гуматовский А. К., Верябин А. С., Пчеляков О. П.Возможности и основные принципы управления пластической релаксацией пленок GeSi/Si и Ge/Si ступенчатого изменяемого состава. // Физика и техника полупроводников, 2008. Т. 42. №1. С. 32 - 35.
- Емишев В. В., Абросимов Н. В., Козловский В. В., Оганесян Г. А. Электрические свойства твердых растворов n- и p-Si1-xGex при малых х // Физика и техника полупроводников, 2014. Т. 48. № 12. С. 1592 - 1594.
- Тагиров В. И., Тагиров У. В., Гулиев А. Ф., Гахраманов Н. Ф. Получение монокристаллов бинарного твердого раствора с большим поперечным размером методом зонной плавки // Научные Известия Сумгаитского Государственного Университета, 2011. Т. 11. № 2. С. 3 - 13.
- Мотт Н., Девис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. - М: Наука, 1994. 180 с.