- июнь 30, 2017
Шорохов Н.А., Антипин М.М.
Email: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Шорохов Николай Александрович – бакалавр технических наук,
кафедра интегральной электроники и микросистем;
Антипин Михаил Михайлович – бакалавр технических наук,
кафедра систем автоматизации управления и контроля,
Национальный исследовательский университет
Московский институт электронной техники,
г. Москва
Аннотация: разработана аналитическая модель для нелегированного (слаболегированного) четырехзатворного и с кольцевым затвором МОП-транзисторов с использованием Verilog-A. Эта модель основана на точном решении уравнения Пуассона с изменяемой длиной области канала. Произведены физические и аналитические расчеты токов и напряжений МОП-транзистора с кольцевым затвором. Более того, модель Verilog-A совместима с различными симуляторами схем. Модель будет полезным инструментом для разработчиков интегральных схем (ИС).
Ключевые слова: модель, МОП, транзистор, транзистор с кольцевым затвором, элементная база, интегральная схема.
ANALYTICAL MODEL OF MOS TRANSISTOR WITH RING GATE
Shorokhov N.A., Antipin M.M.
Shorokhov Nikolay Aleksandrovich - Bachelor of Technical Sciences,
DEPARTMENT OF INTEGRATED ELECTRONICS AND MICROSYSTEMS;
Antipin Mihail Mihaylovich - Bachelor of Engineering Sciences,
DEPARTMENT OF AUTOMATION CONTROL AND MONITORING SYSTEMS,
NATIONAL RESEARCH UNIVERSITY MOSCOW INSTITUTE OF ELECTRONIC TECHNOLOGY,
MOSCOW
Abstract: аn analytical model for the undoped (weakly doped) four-gate and ring-locked MOS transistors using Verilog-A is developed. This model is based on the exact solution of the Poisson equation with a variable length of the channel region. The physical and analytical calculations of the currents and voltages of a MOS transistor with a ring gate are performed. Moreover, the Verilog-A model is compatible with various circuit simulators. The model will be a useful tool for developers of integrated circuits (ICs).
Keywords: Model, MOSFET, transistor, transistor with ring gate, element base, integrated circuit.
Список литературы / References
- Yu B., Song J., Yuan Y., Lu W.-Y., and Taur Y. “A unified analytic drain-current model for multiple-gate MOSFETs,” IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 55, № 8. Р 2157–2163, 2008. View at Publisher View at Google Scholar View at Scopus.
- Song J., Yu В., Yuan Y., and Taur Y..“A review on compact modeling of multiple-gate MOSFETs,” IEEE Transactions on Circuits and Systems. I: Regular Papers, Vol. 56. № 8. Pp. 1858–1869, 2009. View at Publisher View at Google Scholar View at MathSciNet View at Scopus.
- Duarte J.P., S.-J. Choi, D.-I. Moon et al. “A universal core model for multiple-gate field-effect transistors. Part I: charge model,” IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 60, № 2. Р 840–847, 2013. View at Publisher View at Google Scholar View at Scopus.
- Auth С.Р. and Plummer J.D. “Scaling theory for cylindrical, fully-depleted, surrounding-gate MOSFET's,” IEEE Electron Device Letters. Vol. 18. № 2. Pp. 74–76, 1997. View at Publisher · View at Google Scholar View at Scopus.
- Chevillon N., Sallese J.-M., Lallement С. et al. “Generalization of the concept of equivalent thickness and capacitance to multigate MOSFETs modeling,” IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 59. № 1. Pp. 60–71, 2012. View at Publisher View at Google Scholar View at Scopus.
- Iñíguez В., Jiménez D., Roig J., Hamid Н.А., Marsa L.F. l and Pallarès J. “Explicit continuous model for long-channel undoped surrounding gate MOSFETs,” IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 52. № 8. Pp. 1868–1873, 2005. View at Publisher View at Google Scholar View at Scopus.
Ссылка для цитирования данной статьи
| Тип лицензии на данную статью – CC BY 4.0. Это значит, что Вы можете свободно цитировать данную статью на любом носителе и в любом формате при указании авторства. |
|
Шорохов Н.А., Антипин М.М. АНАЛИТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ МОП ТРАНЗИСТОРА С КОЛЬЦЕВЫМ ЗАТВОРОМ // Наука, техника и образование № 7 (37), 2017. - С.{см. журнал}. |
