- июнь 14, 2019
Гахраманов Н.Ф., Гараев Э.С., Алекперов Э.Ш., Бархалов Б.Ш., Гашимова А.И.
Email: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Гахраманов Надир Фаррух оглу – доктор физико-математических наук, профессор,
кафедра общей физики и методики преподавания физики;
Бакинский государственный университет;
Гараев Эльдар Самед оглу - кандидат физико-математических наук, доцент;
главный научный сотрудник,
лаборатория твердотельной электроники,
Институт физики
Национальная академия наук Азербайджана;
Алекперов Эльдар Шахсувар оглу - кандидат физико-математических наук, доцент,
кафедра общей физики и методики преподавания физики,
Бакинский государственный университет,
г. Баку;
Бархалов Бархал Шабан оглу - доктор физико-математических наук, профессор,
кафедра физики твердого тела и полупроводников;
Гашимова Айнур Ихтияр кызы – доктор философии по физике,
кафедра общей физики и методики преподавания физики,
Сумгаитский государственный университет,
г. Сумгаит,
Азербайджанская Республика
Аннотация: в случае, когда коэффициент распределения (к) меньше единицы, имеется два варианта создания первичной расплавленной зоны в исходном слитке. В настоящей работе рассматривается создание расплавленной зоны в конце исходного слитка. Процесс осуществляется в двух разных режимах кристаллизации. Поэтому для определения распределения состава вдоль слитка уравнение непрерывности решается при двух различных начальных условиях, а затем эти решения объединяются. Результаты применены к бинарной системе Ge-In. Распределение состава в основной части слитка остается постоянным и его можно использовать в качестве подпитывающего слитка.
Ключевые слова: бинарная система, расплав, коэффициент распределения, режим кристаллизации, подпитывающий слиток.
CREATING PRIMARY MELTED ZONE AT THE END OF THE ALLOY UNDER THE CONDITION WHEN THE COEFFICIENT OF DISTRIBUTION IS LESS THAN UNIT
Gahramanov N.F., Garayev E.S., Alekperov E.Sh., Barkhalov B.Sh., Gashimova A.I.
Gahramanov Nadir Farruh - Doctor of Physical and Mathematical Sciences, Professor;
DEPARTMENT OF GENERAL PHYSICS AND METHODS OF TEACHING PHYSICS,
BAKU STATE UNIVERSITY;
Garayev Eldar Samed - Candidate of Physical and Mathematical Sciences, Associate-Professor,Chief Researcher,
LABORATORY OF SOLID-STATE ELECTRONICS,
INSTITUTE OF PHYSICS
NATIONAL ACADEMY OF SCIENCES OF AZERBAIJAN
Alekperov Eldar Shahsuvar - Candidate of Physical and Mathematical Sciences, Associate-Professor,
DEPARTMENT OF GENERAL PHYSICS AND METHODS OF TEACHING PHYSICS,
BAKU STATE UNIVERSITY,
BAKU;
Barkhalov Barkhal Shaban - Doctor of Physical and Mathematical Sciences, Professor,
DEPARTMENT OF SOLID STATE AND SEMICONDUCTOR PHYSICS;
Gashimova Aynur Ikhtiyar - PhD on Physics,
Department of General Physics and Physics Teaching Methodology,
SUMGAIT STATE UNIVERSITY,
SUMGAIT,
REPUBLIC OF AZERBAIJAN
Abstract: when the distribution coefficient (k) is less than unit there are two cases of choosing the first melted zone in the initial alloy. Here vie consider the case when the first melted zone is chosen in the end of the initial alloy. The process has two stages of crystallization. Therefore to find the content distribution we solve the continuity equation for two different initial conditions and then unite them. The results have been applied to (k=0,001) system. The content distribution in most parts of the alloy is constant on composition and it can be used as feeding alloy.
Keywords: binary system, melt, distribution coefficient, crystallization mode, feeding ingot.
Список литературы / References
- Taгиров В.И. Основы физики полупроводников. Баку-Сумгаит, 2012. 445 с.
- Taгиров В.И., Гахраманов Н.Ф. Выбор монокристаллического ядра и геометрической структуры сплава при получении монокристаллов бинарных твердых растворов методом зонной плавки // Известия Сумгаитского Государственного Университета, 2011. Т. 11. В. 4. С. 3-13.
- Машовец Т.В. Точечные дефекты в алмазаподобных полупроводниках. Автореферат док..дисс. Ленинград, 1984. С. 235.
- Мецик М.С., Голубь Л.М., Ларионов М.П. и др. Электрическая активность поверхности кристаллов // Известия АН СССР. Неорг.Материалы, 1984. Т. 20. № 5. С. 834-836.
- Yershov M., Liu H.C., Buchanan M. et al. // Appl. Phys. Lett., 1997.V. 70. P. 414.
- Abbasov Sh.M. Semiconductor vibrational freguency response sensor for pressure measurement // J. Fizika, 2001. V. 7. № 3. P. 16-18.
Ссылка для цитирования данной статьи
Тип лицензии на данную статью – CC BY 4.0. Это значит, что Вы можете свободно цитировать данную статью на любом носителе и в любом формате при указании авторства. | ||
Гахраманов Н.Ф., Гараев Э.С., Алекперов Э.Ш., Бархалов Б.Ш., Гашимова А.И. СОЗДАНИЕ ПЕРВИЧНОЙ РАСПЛАВЛЕННОЙ ЗОНЫ В КОНЦЕ СПЛАВА ПРИ УСЛОВИИ, КОГДА КОЭФФИЦИЕНТ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ МЕНЬШЕ ЕДИНИЦЫ // Наука, техника и образование № 5(58), 2019. - С.{см. журнал}. |