- июнь 26, 2018
Гахраманов Н.Ф., Гараев Э.С., Алекперов Э.Ш., Бархалов Б.Ш., Гашимова А.И.
Email: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Гахраманов Надир Фаррух оглу – доктор физико-математических наук, профессор,
кафедра общей физики и методики преподавания физики;
Гараев Эльдар Самед оглу - кандидат физико-математических наук, доцент;
Алекперов Эльдар Шахсувар оглу - кандидат физико-математических наук, доцент,
кафедра общей физики и методики преподавания физики,
Бакинский государственный университет,
г. Баку;
Бархалов Бархал Шабан оглу - доктор физико-математических наук, профессор,
кафедра физики твердого тела и полупроводников,
Сумгаитский государственный университет, г. Сумгаит,
главный научный сотрудник,
лаборатория твердотельной электроники,
Институт физики
Национальная академия наук Азербайджана, г. Баку;
Гашимова Айнур Ихтияр кызы - диссертант,
кафедра общей физики и методики преподавания физики,
Сумгаитский государственный университет, г. Сумгаит,
Республика Азербайджан
Аннотация: предложен новый метод с применением регулирующего кольца при выращивании однородных монокристаллов GeSi методом зонной плавки. В работе выращены монокристаллы бинарных твердых растворов, в составе которых концентрация второй компоненты меняется до концентрации в клинообразной части сплава. Монокристалличность и однородность полученных кристаллов определяли рентгеновскими, металлографическими методами и исследованием электрофизических свойств образцов, вырезанных из различных частей кристалла.
Ключевые слова: бинарный твердый раствор, сплав, зонная плавка, кристаллизация, монокристалл GeSi.
APPLICATION OF THE REGULATING RING WHEN RECEIVING SINGLE CRYSTALS OF BINARY SOLID SOLUTIONS
Gahramanov N.F., Garayev E.S., Alekperov E.Sh., Barkhalov B.Sh., Gashimova A.I.
Gahramanov Nadir Farruh - Doctor of Physical and Mathematical Sciences, Professor,
Department of General Physics and Methods of Teaching Physics;
Garayev Eldar Samed - Candidate of Physical and Mathematical Sciences, Associate-Professor;
Alekperov Eldar Shahsuvar - Candidate of Physical and Mathematical Sciences, Associate-Professor,
Department of General Physics and Methods of Teaching Physics,
Baku State University,
Baku;
Barkhalov Barkhal Shaban - Doctor of Physical and Mathematical Sciences, Professor,
Department of Solid State and Semiconductor Physics,
Sumgait State University, Sumgait,
Laboratory of Solid State Electronics,
Institute of Physics
National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku;
Gashimova Aynur Ikhtiyar - PhD on Physics,
Department of General Physics,
Sumgait State University, Sumgait,
Republic of Azerbaijan
Abstract: а new method is proposed with the use of a regulating ring for growing homogeneous GeSi single crystals by the zone melting method. In this work single crystals of binary solid solutions have been grown, in which the concentration of the second component changes to a concentration in the wedge-shaped part of the alloy. The single-crystallinity and homogeneity of the crystals obtained were determined by X-ray, metallographic methods and by studying the electrophysical properties of samples cutted from different parts of the crystal.
Keywords: binary solid solution, alloy, zone melting, crystallization, GeSi single crystal.
Список литературы / References
- Тагиров В.И. Полупроводниковые твердые растворы германий-кремний. Баку: Элм., 1983. 220 с.
- Аждаров П.Г., Агаев И.А. Распределение компонентов в кристаллах твердых растворов системы Ge-Si при выращивании из раствора // Неорганические материалы, 2000. Т. 36. № 8. С. 903-905.
- Кязимова В.К., Зейналов З.М., Зoхраббекова З.М. Распределение примесей в объемных кристаллах твердых растворов Ge-Si при выращивании из расплава / Тезисы III Межд. Конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика XXI века», 2006. Москва. C. 341-342.
- Тагиров В.И., Тагиров У.В., Гахраманов Н.Ф., Садигова С.Р., Агамалиев З.А. Метод выращивания монокристаллов с постоянным поперечным сечением, 2010. M.S. Патент СГУ. İ. 2010-9993 DR. 07010.
- Kyazimzade R., Azhdarov G. Growth of homogeneous single crystals of GeSi solid solutions using a Ge seed by the modified Bridgman method // J. Crystallography Reports, 2005. v. 50. № 1. P. 149.
- Гахраманов Н.Ф., Гашимова А.И., Нуруллаев Ю.Г., Гараев Э.С. Электрические свойства кристаллов твердых растворов Ge1-xSix, полученных новым способом зонной плавки // Научно-методический журнал «Наука, техника и образование» (Москва), 2016. № 5 (23). C. 5-8.
- Гашимова А.И., Гахраманов Н.Ф., Сардарова Н.С., Нуруллаев Ю.Г., Бархалов Б.Ш. Влияние примеси меди на энергетические уровни кристаллов твердых растворов Ge1-xSix // Научно-методический журнал «Наука, техника и образование» (Москва), 2016. № 7 (25). C. 6-10.
- Сардарова Н.С., Бархалов Б.Ш.,Нуруллаев Ю.Г., Вердиева Н.А., Джафаров M.Б. Электрические свойства кристаллов твердых растворов TlInS2-TlEuS2 различного состава // Научно-методический журнал «Наука, техника и образование» (Москва), 2016. № 11 (29). C. 6-9.
Ссылка для цитирования данной статьи
Тип лицензии на данную статью – CC BY 4.0. Это значит, что Вы можете свободно цитировать данную статью на любом носителе и в любом формате при указании авторства. | ||
Гахраманов Н.Ф., Гараев Э.С., Алекперов Э.Ш., Бархалов Б.Ш., Гашимова А.И. ПРИМЕНЕНИЕ РЕГУЛИРУЮЩЕГО КОЛЬЦА ПРИ ПОЛУЧЕНИИ МОНОКРИСТАЛЛОВ БИНАРНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ // Наука, техника и образование № 6 (47), 2017. - С.{см. журнал}. |