- март 20, 2017
Саъдуллаев А.Б., Курбонов Н.А.
Email: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Саъдуллаев Аловиддин Бобакулович - кандидат физико-математических наук, доцент;
Курбонов Нажмиддин Абдихамитович - старший преподаватель,
кафедра электроэнергетики,
энергетический факультет,
Каршинский инженерно-экономический институт, г. Карши, Республика Узбекистан
Аннотация: в статье рассматривается исследование особенностей гальваномагнитных свойств кремния легированным марганцем в условиях сильной компенсации и установлены возможности управления, значения и знак магнетосопротивления образцов р-Si<B,Mn>, управляя концентрацией электроактивных атомов марганца, и определена область существования положительного и отрицательного магнитосопротивления, а также предложена нанокластерная модель, позволяющяя объяснить природу гальваномагнитных явлений в сильнокомпенсированном кремнии.
Ключевые слова: сильнокомпенсированный кремний, отрицательное и положительное магнитосопротивление, концентрация электроактивных атомов, напряжённость магнитного поля.
INFLUENCE OF THE CONCENTRATION OF ELECTROACTIVE MANGANESE ATOMS ON THE GALVANOMAGNETIC PROPERTIES OF SILICON IN HIGH COMPENSATION
Sadullaev A.В., Kurbonov N.А.
Sadullaev Aloviddin Bobakulovich – Candidate of Physical and Mathematical Sciences, Associate Professor;
Kurbonov Najmiddin Abdihamitovich - Senior Teacher of the Department of Electricity, Energy Department, Karshi Engineering-Economic Institute, Karshi, Republic of Uzbekistan
Abstract: the article considers the study of the peculiarities of the galvanomagnetic properties of silicon doped with manganese in high compensation and established management capabilities values and sign the magnetoresistance of the samples p-Si <B, Mn> controlling the concentration of electroactive manganese atoms and defined the region of existence of positive and negative magnetoresistance, and the proposed nanocluster model can explain the nature of galvanomagnetic phenomena in silicon Strongly compensated.
Keywords: strongly compensated silicon, negative and positive magnetoresistance, the concentration of electrically active atoms, the magnetic field strength.
Список литературы / References
- Бахадырханов М.К., Зикриллаев Н.Ф., Хамидов А., Саъдуллаев А.Б. О концентрации электроактивных атомов элементов переходных групп в полупроводниках. UZBEKJOUNALOFPHYSIKS. Volume 2. Namber 3, 2000. P. 221-
- Zikrillaev N.F., Sadullaev A.B. Power spectra of impurity in semiconductors in the condition of strong compensation. SSP-2004. 8-th International Conference SOLED STATE PHYSICS. August 23 - 26, 2004, Almaty. Kazakhstan Abstracts Almaty-2004. Pp-254-255.
- Бахадырханов М.К., Зикриллаев Н.Ф., Аюпов К.С. Спектральная область существования автоколебаний тока в кремнии, легированном марганцем. ЖТФ. 2006. Т.76. В.С. 128-
- Саъдуллаев А.Б. Особенности комплексообразования между примесными атомами марганца и кислорода в кремнии. «Молодой учёный». № 12, 2014. С. 50 - 52.
- Никитин С.А. Гигантское магнитосопротивление. Соросовский образовательный журнал, 2004. Т. 8. № 2.
- Борисенко И.В., Овсянников Г.А. Магнитосопротивление и проводимость бикристаллических контактов из манганитов. ФТТ 51, 2009. В. 2. С. 292 - 296.
Ссылка для цитирования данной статьи
| Тип лицензии на данную статью – CC BY 4.0. Это значит, что Вы можете свободно цитировать данную статью на любом носителе и в любом формате при указании авторства. | ||
| Саъдуллаев А.Б., Курбонов Н.А. ВЛИЯНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ ЭЛЕКТРОАКТИВНЫХ АТОМОВ МАРГАНЦА НА ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА КРЕМНИЯ В УСЛОВИЯХ СИЛЬНОЙ КОМПЕНСАЦИИ // Наука, техника и образование № 3 (33), 2017. - С.{см. журнал}. |
||
