Туганбаев М. М. Численные методы решения обратной задачи переноса // Наука, техника и образования № 07 (25), 2016. - С. {см. журнал}. Тип лицензии на данную статью – CC BY 3.0. Это значит, что Вы можете свободно цитировать данную статью на любом носителе и в любом формате при указании авторства.

Туганбаев Марат Мансурович / Tuganbaev Marat Mansurovich – кандидат физико-математических наук, доцент, Кыргызский национальный университет им. Ж. Баласагына, г. Бишкек, Кыргызская Республика

Аннотация: в работе исследованы вопросы численного решения обратной задачи переноса на основе системы интегральных уравнений второго рода, к которой сведена исходная задача. Доказана сходимость приближенного решения к решению исходной задачи.

Ключевые слова: задача переноса, обратная задача, численные методы.

Литература

1. Туганбаев М. М. Обратные задачи для нестационарного дифференциального уравнения //Труды ИВМ и МГ СО РАН. – Новосибирск, 2007. – Сер: информатика. – Вып. 7. – С. 310–316.

Гашимова А. И., Гахраманов Н. Ф., Сардарова Н. С., Нуруллаев Ю. Г., Бархалов Б. Ш. Влияние примеси меди на энергетические уровни кристаллов твердых растворов Ge1-xSix // Наука, техника и образования № 07 (25), 2016. - С. {см. журнал}. Тип лицензии на данную статью – CC BY 3.0. Это значит, что Вы можете свободно цитировать данную статью на любом носителе и в любом формате при указании авторства.

Гашимова Айнур Ихтияр / Gashimova Aynur Ikhtiyar – диссертант, кафедра общей физики, Сумгаитский государственный университет, г. Сумгаит;

Гахраманов Надир Фаррух оглу / Gahramanov Nadir Farrux oglu – доктор физико-математических наук, профессор, кафедра общей физики, Бакинский государственный университет, г. Баку;

Сардарова Наиля Сохраб / Sardarova Nailya Soxrab - кандидат физико-математических наук, доцент, кафедра физики полупроводников;

Нуруллаеев Юсиф Гушу оглу / Nurullayev Yusif Gushu oglu – доктор физико-математических наук, профессор, кафедра методики преподования физики, Сумгаитский государственный университет, г. Сумгаит;

Бархалов Бархал Шабан оглу / Barkhalov Barkhal Shaban oglu – доктор физико-математических наук, профессор, лаборатория твердотельной электроники, Институт физики, Национальная академия наук Азербайджана, г. Баку, кафедра физики твердого тела, Сумгаитский государственный университет, г. Сумгаит, Республика Азербайджан

Аннотация: в работе исследован первый акцепторный уровень меди в твердом растворе Ge-Si (с 18 ат. % Si). Из выращенных монокристаллов вырезались образцы в виде параллелепипеда, которые затем легировались медью методом диффузии. Создавались условия для равномерного распределения атомов меди в объеме образцов. В легированных медью образцах исследовалась температурная зависимость коэффициента Холла. Из анализа этих зависимостей на основе решения уравнения электронейтральности кристалла определялась энергия активации первого уровня меди для исследованного состава Ge-Si, которая оказалась равной 0,11 эВ.

Ключевые слова: бинарный твердый раствор, термодефект, зона плавления, сплав, монокристалл, акцептор, уравнение нейтральности.

Литература

1. Тагиров В. И. Полупроводниковые твердые растворы германий-кремний. - Баку: Элм - 1983. - 220 с.
2. Бекиров М. Я. Электронные приборы на основе твердого раствора Ge-Si. – Баку: Элм. - 1986. - 140 с.
3. Аббасов Ш. М. Получение чувствительных элементов для тензодатчиков Ge1-xSix / Proc.Intern.Conf. «Tech.Probl.Phys.and Power Engineering». - Baku. - 2002. - P. 75-76.
4. Тагиров В. И., Тагиров У. В., Гахраманов Н. Ф., Садигова С. Р., Агамалиев З. А.Метод выращивания монокристаллов с постоянным поперечным сечением - 2010. - M.S. Патент СГУ. - İ. 2010-9993 DR. 07010.
5. Тагиров В. И., Таиров С. И., Кулиев А. А. Шахтахтинский М. Г. Получение монокристаллов сплавов Ge-Si // Кристаллография. - 1965. - Т. 10. - С. 751.
6. Агамалиев З. А. Получение монокристаллов твердых растворов Ge-Si усовершенствованным методом и примесные уровни Ag в них: автореф … дисс. к. ф-м. н. Баку: - 2008. - 25 c.
7. Кязимова В. К., Зейналов З. М. Распределение примесей Al и In в объемных кристаллах твердых растворов Si-Ge при выращивании из расплава / Материалы III Межд. Конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика ХХI века». 2006. – Москва. - С. 341-343.
8. Тагиров В. И., Тагиров Э. В., Гахраманов Н. Ф. Физика полупроводников. Сумгаит: Изд. СГУ. - 2006. - 210 с.

Жусупбаев А., Асанкулова М., Султанкул кызы А. Математическая модель определения технологического способа добычи, переработки и транспортировки угля // Наука, техника и образования № 07 (25), 2016. - С. {см. журнал}. Тип лицензии на данную статью – CC BY 3.0. Это значит, что Вы можете свободно цитировать данную статью на любом носителе и в любом формате при указании авторства.

Жусупбаев Амангельди / Jusupbaev Amangeldi - доктор физико-математических наук, заведующий лабораторией;

Асанкулова Майрам / Asankulova Mayram - кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник, лаборатория экономико–математических методов, Институт теоретической и прикладной математики Национальная Академия наук Кыргызской Республики;

Султанкул кызы Айнура / Sultankul kyzy Ainura - старший преподаватель, Кыргызский национальный университет им. Ж. Баласагына, г. Бишкек, Кыргызская Республика

Аннотация: Сформулирована математическая модель оптимизации размещения добычи и переработки угля. В задаче определяется технологический способ добычи и переработки угля по каждому месторождению. Для каждого способа переработки на предприятиях будем считать известным удельный выход продуктов переработки из единицы веса рядового угля. Метод расчета продемонстрирован на числовом примере.

Ключевые слова: математическая модель, объем добычи, затраты, предприятия, минимум, угледобывающее предприятие.

Литература

1. Асанкулова М., Жусупбаев А. Оптимизация добычи и распределения сырья между потребителями в зависимости от периода // Проблемы современной науки и образования, 2016. № 4 (46). С. 7-12.

Акопов В. В. Вывод формулы для расчёта индуктивности Земли // Наука, техника и образования № 07 (25), 2016. - С. {см. журнал}. Тип лицензии на данную статью – CC BY 3.0. Это значит, что Вы можете свободно цитировать данную статью на любом носителе и в любом формате при указании авторства.

Акопов Вачакан Ваграмович / Akopov Vachakan Vagramovich – учитель физики, Муниципальное образовательное учреждение Средняя школа № 6, село Полтавское, Курский район, Ставропольский край

Аннотация: в данной статье представлен вывод формулы для расчета индуктивности Земли; численное значение индуктивности Земли, полученное здесь расчётным путём, можно использовать при теоретических геофизических исследованиях Земли и при решении задач.

Ключевые слова: индуктивность, магнитная постоянная, магнитная проницаемость, диэлектрическая проницаемость, электроёмкость, Земля, диаметр, электрическая постоянная.

Литература

1. Ландау А. Д., Лифшиц Е. М, Том 8. М. «Наука», 1982, 177 с.
2. Мустафаев Р. А., Кривцов В. Г. Физика. М: Высшая школа. 1989. - 171 с.
3. Темко С. В., Соловьёв Г. А., Милантьев В. П. Физика раскрывает тайны Земли. // Москва. 1976. - 8 с.
4. Енохович А. С. Справочник по физике и технике. // Просвещение. Москва. 1989. - 105 с.
5. Акопов В. В. Материалы XXIV Международной научно-практической конференции. Москва. 2015. - 13 с.
6. Акопов В. В. Материалы XXV Международной научно-практической конференции. Москва. 2015. – 12 с.